发明名称 正型光阻材料及使用其之图型形成方法
摘要 本发明系提供一种以高能量线曝光时,具有高感度、高解像性,可抑制显像时之膨润,因此线边缘粗糙度小,显像后之残渣较少之正型光阻材料。;本发明系一种正型光阻材料,其特征为含有:至少含有下述一般式(a)及(b)表示之重复单位的高分子化合物,;(a) (b);(式中,R1为相同或不同之氢原子或甲基,R2为羟基或被酸不安定基取代之羟基、羧基、或被酸不安定基取代之羧基,R3为酸不安定基或具有内酯之密着性基,X为单键或碳数1~6之直链状或支链状之伸烷基,可具有酯基或醚基,m为1或2;a、b为0<a<1.0;0<b≦0.8的范围)。
申请公布号 TWI383259 申请公布日期 2013.01.21
申请号 TW095134835 申请日期 2006.09.20
申请人 信越化学工业股份有限公司 日本 发明人 畠山润;永田岳志;武田隆信
分类号 G03F7/039;H01L21/027 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本