| 主权项 |
1.一种半导体元件封装体,其包含: 一导线架,其包括一源极垫及一闸极垫,该导线架 系进一步包括从该源极垫延伸之复数个导线以及 从该闸电垫延伸之至少一导线; 一晶粒,其利用多数焊料凸块耦合至该导线架; 一汲极垫,其利用一软焊料耦合至该晶粒的一汲极 区;及 一体部,其中界定有一窗口并大致包套住该导线架 及该晶粒,使得与该晶粒相对之该汲极垫的一表面 暴露通过该窗口。 2.如申请专利范围第1项之半导体元件封装体,其中 形成该等导线而使得该等导线的端点与该汲极垫 的暴露表面呈现共面状。 3.如申请专利范围第1项之半导体元件封装体,其中 该软焊料之熔点温度比焊料凸块低。 4.如申请专利范围第1项之半导体元件封装体,其中 该汲极垫包括一侧唇,该半导体元件封装体进一步 包含一导线轨,该导线轨系包括在该侧唇上耦合至 该汲极垫之复数个导线。 5.如申请专利范围第4项之半导体元件封装体,其中 该软焊料为一第一软焊料,且该导线轨以一第二软 焊材料耦合至该侧唇。 6.如申请专利范围第4项之半导体元件封装体,其中 该导线架系进一步包括位于该导线架各端点上之 两个束杆。 7.一种用于封装半导体晶粒之方法,该方法包含: 提供一导线架; 一包括焊料凸块的凸块化晶粒系附接至该导线架; 一汲极垫系以一熔点低于焊料凸块之熔点的软焊 料附接至该晶粒的一汲极区;及 形成一体部于该导线架及晶粒周围,使得该汲极垫 的一部份暴露通过该体部中所界定的一窗口。 8.如申请专利范围第7项之方法,其进一步包含提供 一导线轨及将该汲极垫的一边缘耦合至该导线轨 。 9.如申请专利范围第7项之方法,其进一步包含形成 该导线架的导线端点使其与该汲极垫的暴露部份 呈现共面状。 10.如申请专利范围第7项之方法,其中该软焊材料 包含以下一者:具有均等的融化温度之88Pb10Sn2Ag、 82.5P5Pb10Sb5Sn、90Pb10Sb或无Pb焊料。 图式简单说明: 第1图为根据本发明之一半导体元件的俯视立体图 ; 第2图为第1图所示之半导体元件的仰视立体图; 第3图为第1图所示之半导体元件的分解图; 第4图为根据本发明一项替代性实施例之一半导体 元件的侧剖视图,其中已移除体部; 第5图为根据本发明供一半导体元件使用之一模制 体部或封装体的仰视立体图; 第6图为根据本发明供一半导体元件使用的一凸块 化晶粒之部份侧剖视图; 第7图为根据本发明之一晶粒与一导线架之间的一 焊料凸块的放大图。 |
