发明名称 具有不同资料状态之混合用途记忆体阵列及其使用方法
摘要 揭示一种具有不同资料状态之混合用途记忆体阵列及其使用方法。在一项较佳具体实施例中,提供一种记忆体阵列,其包括复数个记忆体单元,每一记忆体单元包括一记忆体元件,该记忆体元件包括可组态至至少三种电阻率状态中之一者的一可切换式电阻材料。一第一组记忆体单元使用X种电阻率状态来表示X种各自资料状态;及一第二组记忆体单元使用Y种电阻率状态来表示Y种各自资料状态,其中X≠Y。
申请公布号 TW200818204 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096123303 申请日期 2007.06.27
申请人 桑迪士克3D公司 发明人 洛依E 艾德恩;克里斯多夫J 彼得
分类号 G11C5/02(2006.01) 主分类号 G11C5/02(2006.01)
代理机构 代理人 黄章典;楼颖智
主权项
地址 美国