Halbleiterbauelement mit selbstjustierten Kontaktelementen

摘要

Bei der Herstellung komplexer Halbleiterbauelemente wird ein Austauschgateverfahren in Verbindung mit einem selbstjustierten Kontaktschema angewendet, indem die selbstjustierten Kontakte vor dem Ersetzen des Platzhaltermaterials der Gateelektrodenstrukturen hergestellt werden.