接触孔的光刻方法

摘要

本发明公开了一种接触孔的光刻方法，该方法包括：量测第三中心点与第一上外框的距离、第三中心点与第一下外框的距离，若二者的距离差值的绝对值大于预先设定的套刻精度，则调整CT层相对AA层在Y方向的光刻图案位置偏移量；量测第三中心点与第二左外框的距离、第三中心点与第二右外框的距离，若二者的距离差值的绝对值大于预先设定的套刻精度，则调整CT层相对PL层在X方向的光刻图案位置偏移量。采用该方法能够降低光刻工艺的复杂性。

主权项

一种接触孔的光刻方法，在产生有源区AA层的图案时，表面旋涂光阻胶，并进行曝光、显影，AA层表面的光刻图案包括有效器件图案和第一外框，其中，第一外框包括：第一上外框、第一下外框、第一左外框和第一右外框；在产生多晶硅栅PL层的图案时，表面旋涂光阻胶，并进行曝光、显影，PL层表面的光刻图案包括有效器件图案和第二外框，其中，第二外框包括：第二上外框、第二下外框、第二左外框和第二右外框，其特征在于，该方法还包括：A、在产生接触孔CT层的图案时，表面旋涂光阻胶，并进行曝光，CT层表面的光刻图案包括有效器件图案和第三内框，其中，第三内框包括：第三上内框、第三下内框、第三左内框和第三右内框，第三内框图案中心点为第三中心点；B、量测第三中心点与第一上外框的距离、第三中心点与第一下外框的距离，若二者的距离差值的绝对值大于预先设定的套刻精度，则调整CT层相对AA层在Y方向的光刻图案位置偏移量，去除CT层表面的光阻胶，并转回执行步骤A；否则，执行步骤C；C、量测第三中心点与第二左外框的距离、第三中心点与第二右外框的距离，若二者的距离差值的绝对值大于预先设定的套刻精度，则调整CT层相对PL层在X方向的光刻图案位置偏移量，去除CT层表面的光阻胶，并转回执行步骤A；否则，进行显影；所述X方向为晶圆所在平面内的水平方向，所述Y方向为晶圆所在平面内的垂直方向。