| 发明名称 | 一种金属-氧化物-金属电容的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属-氧化物-金属(MOM)电容的形成方法，其包括提供一晶圆基底；在所述晶圆基底上沉积金属层；通过两次图形化工艺，在所述金属层中分别形成第一电极与第二电极；在所述晶圆表面沉积绝缘介质层，形成MOM电容。通过本发明的方法，可以得到小于光刻工艺约束的图形间距，大大减少了相邻两个电极指状极板之间的距离，从而在提高MOM电容容量的同时又可以减小电容所占芯片面积。 | ||
| 申请公布号 | CN102881565A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201210404988.9 | 申请日期 | 2012.10.22 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 王全;全冯溪;周伟 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种金属‑氧化物‑金属(MOM)电容的形成方法，其中，所述MOM电容包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极均采用指状结构，分别由数个相互平行的指状极板单端相连而成，所述第一电极与第二电极相对交错排布，位于同层绝缘介质中；其特征在于，所述形成方法包括如下步骤：提供一晶圆基底；在所述晶圆基底上沉积金属层；通过两次图形化工艺，在所述金属层中分别形成第一电极与第二电极；在所述晶圆表面沉积绝缘介质层，形成MOM电容。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||