| 发明名称 | 磁阻式随机存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及的是一种磁阻式随机存储器(MRAM)单元，其包括磁隧道结(MTJ)、设置在MTJ上方的顶部电极、设置在MTJ下方的底部电极以及设置在MTJ一侧的感应线。该感应线被配置为在MTJ处感生出垂直磁场。本发明还公开了磁阻式随机存储器及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102881820A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201210012951.1 | 申请日期 | 2012.01.16 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘明德;江典蔚;高雅真;陈文正 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种磁阻式随机存储器(MRAM)单元，包括：磁隧道结(MTJ)；顶部电极，设置在所述MTJ上方；底部电极，设置在所述MTJ下方；以及感应线，设置在所述MTJ的一侧，其中，所述感应线配置为在所述MTJ处感生出垂直磁场。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||