发明名称 |
一种低功耗高可靠性上电复位电路 |
摘要 |
一种低功耗高可靠性上电复位电路,属于集成电路领域。该低功耗高可靠性上电复位电路由电源检测电路,延迟电路以及异或电路组成。延迟电路中采用新型的延迟单元,在不采用传统意义的大电容条件下,可以达到上百微妙的延迟,有效减少了芯片面积,同时提高了芯片的可靠性。本电路采用全MOS管结构,使用带施密特功能反相器来抵抗电源噪声,并且在电路复位后,其静态功耗基本为零。 |
申请公布号 |
CN102882497A |
申请公布日期 |
2013.01.16 |
申请号 |
CN201210374511.0 |
申请日期 |
2012.09.27 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
宁宁;王成碧;胡勇;李天柱;赵思源;李华省;吴霜毅 |
分类号 |
H03K17/22(2006.01)I;H03K17/28(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/22(2006.01)I |
代理机构 |
成都科海专利事务有限责任公司 51202 |
代理人 |
盛明洁 |
主权项 |
一种低功耗高可靠性上电复位电路,包含电源检测电路,延迟电路以及异或电路,其特征在于:电源检测电路:采用PMOS晶体管、NMOS晶体管和带施密特功能反相器INV1构成,用基于MOS管的阈值电压对电源进行检测,当电源电压超过一定值后,开启偶接于电源电压和电容之间的MOS管,对电容进行充电,当电容电压达到一定值,带施密特功能反相器输出下降沿的阶跃信号;延迟电路:由延迟单元(Delay1)和延迟单元(Delay2)构成,对电源检测电路输出的阶跃信号进行不同时间的延迟,产生两个不同延迟时间的阶跃信号;当电源上电后,用作检测电容的MOS管通过对电容充电,当作为电容的MOS管栅电压达到带施密特功能反相器INV1的翻转点时,带施密特功能反相器INV1将输出向下的阶跃信号,该阶跃信号经过延迟电路后,产生一个不同延迟时间的两个阶跃信号,此处两个不同延迟时间的阶跃信号通过异或电路进行异或,输出上电复位矩形脉冲,对芯片进行复位。 |
地址 |
610054 四川省成都市建设北路二段4号电子科技大学 |