一种高压二极管封装制造工艺

摘要

本发明公开了一种高压二极管封装制造工艺，首先将高压二极管芯片经过酸腐蚀，与经过涂有助焊剂的引线在高温链式炉中焊接，焊接后浸泡在活化剂中，利用超声波清洗助焊剂，焊接过程中无需通入氢气，避免由于氢气爆炸造成的人身伤害事故，该封装工艺无任何安全隐患，加工后的产品性能稳定、可靠。

主权项

一种高压二极管封装制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：（1）将引线装入石墨舟，在引线钉头上涂刷助焊剂，芯片经过酸腐蚀后，填进已装入引线的石墨舟，在高温链式炉中进行焊接，焊接过程中通入高纯氮气；（2）对上述焊接后的产品进行去助焊剂残留物处理：首先将产品用活化剂浸泡120s，接着，采用超声清洗产品去除表面助焊剂残留物，清洗完后，重复上述活化剂浸泡步骤，最后用无水乙醇分两次浸泡，时间分别是120s；（3）将经过步骤（2）处理的产品置于恒温槽中烘干200s，恒温槽中通入氮气，防止产品氧化；（4）经过氮气烘干的产品由氢氟酸处理后，再经碱腐蚀，进一步去除芯片表面残留杂质；（5）在芯片表面上胶，高温固化，经过塑封成型，完成封装得成品。