一种新型叠片二极管制造工艺及其芯片筛盘

摘要

一种新型叠片二极管制造工艺及其芯片筛盘，本发明涉及一种新型叠片二极管制造工艺，其特征在于所述步骤为：在硅片的P面或N面开宽槽，槽宽度为70~250um，槽深度60~100um；以宽槽槽底中心为边界进行划片；引线装填、筛装芯片后利用焊料将芯片、引线焊接固定，在筛装芯片时利用开宽槽形成的小面和芯片筛盘型孔配合，完成PN极性识别；再依次经过酸洗、梳条、上胶、胶固化、模压、后固化、电镀、测试、印字、包装、出货。在硅片的P面或N面开宽槽，以宽槽槽底中心为边界进行划片；在筛装芯片时利用开宽槽形成的小面和芯片筛盘型孔配合，完成PN极性的自动识别、调整，无需人工识别，提高效率和准确性，避免手工使用镊子调整造成芯片的损伤。

主权项

一种新型叠片二极管制造工艺，其特征在于所述步骤为：在硅片的P面或N面开宽槽；以宽槽槽底中心为边界进行划片，形成具有小面和大面的芯片；引线装填、筛装芯片后利用焊料将芯片、引线焊接固定，在筛装芯片时利用开宽槽形成的小面和芯片筛盘的吸盘型孔配合，完成PN极性识别；再依次经过常规的酸洗、梳条、上胶、胶固化、模压、后固化、电镀工序，最后经检测合格出货。