| 发明名称 | 场致发射阴极 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种场致发射阴极，所述场致发射阴极包括：至少部分导电的基底结构；和空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。本发明的优点包括降低功耗以及增加例如包括所述场致发射阴极的场致发射照明装置的光输出。 | ||
| 申请公布号 | CN102884605A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201180017218.2 | 申请日期 | 2011.04.04 |
| 申请人 | 光实验室瑞典股份公司 | 发明人 | 胡秋红 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I;H01J63/02(2006.01)I;H01J63/06(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 杨生平;钟锦舜 |
| 主权项 | 一种场致发射阴极，包括：‑至少部分导电的基底结构；和‑空间分布在所述基底结构处的多个导电的微米级部分，其中，所述多个微米级部分中的至少一部分各自设置有多个导电的纳米结构。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩 | ||