| 摘要 |
도포 후, 가열 건조에 의해, 50℃ 미만에서 접착성을 갖지 않고, 반도체 칩의 대미지를 억제 가능한 온도에서의 가열에 의해 접착성을 발현하고, 그 후, 빠르게 경화되는 접착제층을 형성하는 반도체 적층용 접착제 조성물을 제공한다. 본 발명의 반도체 적층용 접착제 조성물은, 중합성 화합물(A), 양이온 중합 개시제(B1) 및/또는 음이온 중합 개시제(B2) 및 용제(C)를 함유한다. 중합성 화합물(A): 연화점 또는 융점이 50℃ 이상인 에폭시 화합물을 80중량％ 이상 함유 양이온 중합 개시제(B1): 3,4-에폭시시클로헥실메틸(3,4-에폭시)시클로헥산카르복실레이트 100중량부에 1중량부 첨가해서 얻어지는 조성물의 130℃에서의 열경화 시간이 3.5분 이상 음이온 중합 개시제(B2): 비스페놀 A 디글리시딜에테르 100중량부에 1중량부 첨가해서 얻어지는 조성물의 130℃에서의 열경화 시간이 3.5분 이상 |
