| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：在衬底中形成凹陷；对凹陷底部进行注入以在凹陷底部下方预定深度形成非晶化层；以非晶化层作为对于湿法刻蚀的阻挡层对凹陷进行晶向选择性湿法刻蚀从而形成Sigma形凹陷。通过注入形成非晶化层作为后面湿法刻蚀的阻挡层，避免了形成具有尖的底部的Sigma凹陷，从而形成满足条件的Sigma凹陷，进一步提高半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102881656A | 申请公布日期 | 2013.01.16 |
| 申请号 | CN201110197676.0 | 申请日期 | 2011.07.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何永根;吴兵;刘焕新 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 孙宝海 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：在衬底中形成凹陷；对所述凹陷底部进行注入以在所述凹陷底部下方预定深度形成非晶化层；以所述非晶化层作为阻挡层对所述凹陷进行晶向选择性湿法刻蚀从而形成Sigma形凹陷。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||