发明名称 |
存储器中的写入能量保存 |
摘要 |
本发明揭示一种将数据写入到例如自旋力矩转移磁性随机存取存储器STT-MRAM等电阻式存储器的方法。所述方法响应于第一写入信号而将所接收数据位写入到存储器单元阵列。所述方法还在所述第一写入信号产生之后从所述存储器单元阵列读取所存储数据,且接着比较所述所存储数据与所述所接收数据位来确定所述所接收数据位中的每一者是否被写入到所述存储器。响应于第二写入信号,写入被确定为在所述第一写入信号期间尚未写入的所接收数据位。 |
申请公布号 |
CN102884581A |
申请公布日期 |
2013.01.16 |
申请号 |
CN201180022892.X |
申请日期 |
2011.05.09 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
哈里·M·拉奥;金正丕;金太贤;朱晓春;李康浩;郝武扬 |
分类号 |
G11C11/16(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
宋献涛 |
主权项 |
一种用于将数据写入到存储器的方法,其包含:响应于第一可编程写入信号而将所接收数据写入到所述存储器的存储器单元阵列;在所述第一可编程写入信号产生之后从所述存储器单元阵列读取所存储数据;比较所述所存储数据与所述所接收数据来确定所有所述所接收数据是否被写入到所述存储器;及响应于第二可编程写入信号,将被确定为在所述第一可编程写入信号期间尚未写入的所接收数据写入到所述存储器单元阵列。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |