薄膜晶体光传感器、制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管光传感器与一种液晶显示面板乃利用分别运用氟硅氧碳氢化合物介电层与包括氟硅氧碳氢化合物的凸块结构，以分别形成一具低电阻电容负载的薄膜晶体管光传感器以及一具低介电系数凸块结构的液晶显示面板。此外，另公开一种制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法，其运用包含三甲基硅甲烷、四氟化碳、氩气以及氧气的气体进行薄膜沉积制程，以形成一具有低介电系数的氟硅氧碳氢化合物介电层。

主权项

1.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：一第一基板；一第二基板，与该第一基板相对设置；一凸块结构，设置于该第一基板上，其中该凸块结构包含氟硅氧碳氢化合物；以及一液晶层，设置于该第一基板与该第二基板之间；其中，该氟硅氧碳氢化合物厚度介于200埃至14000埃之间，且形成该氟硅氧碳氢化合物的制程的通入制程气体流量参数条件包括：三甲基硅甲烷流量在5至100sccm之间；四氟化碳流量在5至100sccm之间；氩气流量在5至100sccm之间；以及氧气流量在5至100sccm之间。