发明名称 |
半导体电容结构及其布局图案 |
摘要 |
本发明系提供一种具有复数个对称环型区段的金属-氧化层-金属电容结构。本发明之金属-氧化层-金属电容结构不需要使用额外的光罩,制程费用较便宜,此外,由于半导体制程的进步,因此可以叠加数目相当大的金属层,而且因为金属层之间的距离也变得愈来愈小,所以可以得到愈来愈高的单位电容值。 |
申请公布号 |
TWI382522 |
申请公布日期 |
2013.01.11 |
申请号 |
TW096110376 |
申请日期 |
2007.03.26 |
申请人 |
瑞昱半导体股份有限公司 新竹市新竹科学园区创新二路2号 |
发明人 |
康汉彰;叶达勋 |
分类号 |
H01L27/04 |
主分类号 |
H01L27/04 |
代理机构 |
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代理人 |
吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学园区创新二路2号 |