发明名称 半导体电容结构及其布局图案
摘要 本发明系提供一种具有复数个对称环型区段的金属-氧化层-金属电容结构。本发明之金属-氧化层-金属电容结构不需要使用额外的光罩,制程费用较便宜,此外,由于半导体制程的进步,因此可以叠加数目相当大的金属层,而且因为金属层之间的距离也变得愈来愈小,所以可以得到愈来愈高的单位电容值。
申请公布号 TWI382522 申请公布日期 2013.01.11
申请号 TW096110376 申请日期 2007.03.26
申请人 瑞昱半导体股份有限公司 新竹市新竹科学园区创新二路2号 发明人 康汉彰;叶达勋
分类号 H01L27/04 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3
主权项
地址 新竹市新竹科学园区创新二路2号