金属氧化物半导体电晶体结构

摘要

一种MOS电晶体结构，包括：一闸极，覆盖一半导体基底的一有效区域，所述半导体基底具有第二导电型之掺杂；一汲极掺杂区，为一第一导电型，位于所述半导体基底中，与所述闸极的一边缘之间具有一距离；一第一轻掺杂区，为所述第一导电型，位于所述闸极与所述汲极掺杂区之间；一源极掺杂区，为所述第一导电型，位于所述第二导电型的一第一离子井中；以及一第二轻掺杂区，为所述第一导电型，位于所述闸极与所述源极掺杂区之间。本发明MOS电晶体与标准CMOS程序相容，不需要额外成本，可用于大量隔离，降低HCI效应，改进TDDB特性，并可工作于负偏压。