Abgestufte flache Grabenisolation für flächeneffiziente Körperkontakte in SOI-MOSFETS

摘要

Es wird eine SOI-Einheit auf einer massiven Siliciumschicht offenbart, die einen FET-Bereich, einen Körperkontaktbereich und einen STI-Bereich aufweist. Der FET-Bereich besteht aus einer SOI-Schicht ufasst eine erste STI-Schicht, die die SOI-Einheit von einer danebenliegenden SOI-Einheit trennt. Der Körperkontaktbereich umfasst eine Verlängerung der SOI-Schicht, eine zweite STI-Schicht auf der Verlängerung und einen Körperkontakt in Kontakt mit der Verlängerung. Die erste und die zweite STI-Schicht sind aneinanderliegend und weisen eine unterschiedliche Dicke auf, um einen abgestuften STI zu bilden.