| 发明名称 | MOS晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种MOS晶体管的形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；刻蚀所述半导体衬底，在所述栅极结构之间形第一沟槽，所述第一沟槽底部的宽度大于所述栅极结构之间的间距；刻蚀所述第一沟槽形成第二沟槽；在所述第二沟槽内形成源区、漏区。本技术方案通过改变干法刻蚀的工艺参数，在半导体衬底内形成沟槽，并且所述沟槽的底部较宽，从而避免了后续进行湿法刻蚀时在沟槽底部出现尖角现象。 | ||
| 申请公布号 | CN102867749A | 申请公布日期 | 2013.01.09 |
| 申请号 | CN201110188555.X | 申请日期 | 2011.07.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李凡;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；刻蚀所述半导体衬底，在所述栅极结构之间形成第一沟槽，所述第一沟槽底部的宽度大于所述栅极结构之间的间距；刻蚀所述第一沟槽形成第二沟槽；在所述第二沟槽内形成源区、漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||