发明名称 |
双色红外探测材料的制备方法及系统 |
摘要 |
本发明公开了一种双色红外探测材料的制备方法及系统,该方法制备双色红外探测材料需要的层数少,制备工艺简单。其制备方法包括:对InSb晶体先进行前期处理操作,获得外延级(211)晶向的InSb衬底;对所述(211)晶向的InSb衬底进行处理,获得HgCdTe分子束外延所要求的表面态;在所述(211)晶向的InSb衬底上进行CdTe缓冲层的生长;然后再进行HgCdTe薄膜的生长;在保护气体条件下,将生长后的所述HgCdTe薄膜加热到预定温度200-300℃,保温时间为16-30小时,降温得到双色红外探测材料;双色红外探测材料的制备系统包括:处理设备、分子束外延系统和热处理设备。 |
申请公布号 |
CN102867859A |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201210328258.5 |
申请日期 |
2012.09.06 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十一研究所 |
发明人 |
周立庆;刘铭;巩锋;王经纬;王丛;孙浩 |
分类号 |
H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0296(2006.01)I |
代理机构 |
工业和信息化部电子专利中心 11010 |
代理人 |
梁军 |
主权项 |
双色红外探测材料的制备方法,其特征在于,制备方法包括:对InSb晶体先进行切、磨和抛光处理操作,获得外延级(211)晶向的InSb衬底;对所述(211)晶向的InSb衬底进行处理,获得HgCdTe分子束外延所要求的表面态;在所述(211)晶向的InSb衬底上进行CdTe缓冲层的生长;然后再进行HgCdTe薄膜的生长;在保护气体条件下,将生长后的所述HgCdTe薄膜加热到预定温度200‑300℃,保温时间为16‑30小时,降温得到双色红外探测材料。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号 |