发明名称 多晶硅制造装置
摘要 本发明提供一种多晶硅制造装置,其不需增加电极数即可保持较多的硅芯棒。将沿上下方向延伸的硅芯棒(4)分别立设于配设在反应炉底板部(2)的多个电极上,向反应炉内供给原料气体,并从电极对硅芯棒通电来使硅芯棒发热,利用原料气体使该硅芯棒的表面析出多晶硅,其中,多个电极中的至少一部分是保持两根硅芯棒的两根用电极(5B),并且该两根用电极具有以插入状态设于形成在底板部(2)上的贯通孔(25)内的电极座(26)、和隔开相互间隔地设于该电极座的上端部的一对芯棒保持部(27),电极座的内部形成有供冷却介质流通的冷却流路(40),与冷却流路(40)连通的冷却配管与贯通底板部(2)的电极座(26)的下端部连接。
申请公布号 CN101544372B 申请公布日期 2013.01.09
申请号 CN200910127763.1 申请日期 2009.03.25
申请人 三菱麻铁里亚尔株式会社 发明人 远藤俊秀;手计昌之;石井敏由记;坂口昌晃
分类号 C01B33/035(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C01B33/035(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 温大鹏
主权项 一种多晶硅制造装置,将沿上下方向延伸的硅芯棒分别立设于配设在反应炉底板部的多个电极上,向反应炉内供给原料气体,并且从上述电极对上述硅芯棒通电来使硅芯棒发热,利用上述原料气体使该硅芯棒的表面析出多晶硅,其特征在于,上述多个电极中的至少一部分是保持两根上述硅芯棒的两根用电极,并且该两根用电极具有电极座和一对芯棒保持部,所述电极座以插入状态设于形成在上述底板部的贯通孔内,所述一对芯棒保持部隔开相互间隔地设于该电极座的上端部,上述电极座的内部形成有供冷却介质流通的冷却流路,与上述冷却流路连通的冷却配管连接在贯通上述底板部的上述电极座的下端部。
地址 日本东京都