发明名称 |
磁性结及其使用方法和磁存储器及系统 |
摘要 |
本发明涉及磁性结及其使用方法和磁存储器及系统。方法和系统提供可在磁器件中使用的磁性结。该磁性结包括被钉扎层、非磁间隔层和自由层。该非磁间隔层在被钉扎层和自由层之间。磁性结被配置为使得当写入电流流经磁性结时自由层在多个稳定的磁性状态之间可切换。自由层和被钉扎层中的至少一个包括至少一种半金属。 |
申请公布号 |
CN102867538A |
申请公布日期 |
2013.01.09 |
申请号 |
CN201210236344.3 |
申请日期 |
2012.07.09 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
D.阿帕尔科夫;唐学体;M.T.克罗恩比;V.尼基廷;A.V.克瓦尔科夫斯基 |
分类号 |
G11C11/16(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
张波 |
主权项 |
一种磁性结,用于磁器件中,包括:被钉扎层,具有被钉扎层磁化;非磁间隔层;以及自由层,具有易磁化轴,该非磁间隔层位于该被钉扎层与该自由层之间,该自由层和该被钉扎层中的至少一个包括至少一种半金属;其中该磁性结被配置为使得当写入电流流经该磁性结时该自由层在多个稳定的磁状态之间可切换。 |
地址 |
韩国京畿道 |