化合物半导体晶片清洗方法

摘要

本发明涉及化合物半导体晶片的清洗方法，尤其是以砷化镓(GaAs)为代表的III-V族化合物半导体晶片的清洗方法。本发明的方法可以改善晶片表面的清洁度、微观粗糙度及均匀性。

主权项

一种III‑V族化合物半导体晶片清洗方法，包括以下步骤：(1)在不高于20℃的温度下，用稀释氨水、过氧化氢和水体系处理晶片；(2)用去离子水冲洗晶片；(3)用一种氧化剂处理晶片；(4)用去离子水冲洗晶片；(5)用一种稀酸或稀碱溶液处理晶片；(6)用去离子水冲洗晶片；和(7)使得到的晶片干燥；其中步骤(1)在不高于15℃的温度进行，且其中在所述稀释氨水、过氧化氢和水体系中，按重量百分比计算，氨水、过氧化氢的含量分别为0.2‑10.0%NH3和0.2‑3.0%H2O2。