| 发明名称 | 一种磁记录薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有小晶粒尺寸和垂直取向的L10相FePt-MgO磁记录薄膜的制备方法。本发明的L10相FePt-MgO磁记录薄膜的制备方法是首先将其表面有一层氧化硅的基片经清洁处理，然后用真空共溅射方式在基片表面共溅射生长出一层FePt-MgO薄膜，其中：薄膜中Fe原子和Pt原子的比例为31：69-51：49，MgO与薄膜的体积比为5%-40%；溅射Fe为直流溅射方式，溅射Pt和MgO为交流溅射方式，然后再将薄膜在真空条件下进行退火处理。 | ||
| 申请公布号 | CN102864424A | 申请公布日期 | 2013.01.09 |
| 申请号 | CN201210382689.X | 申请日期 | 2012.10.11 |
| 申请人 | 兰州大学 | 发明人 | 刘立旺;党红刚;盛伟;曹江伟;白建民;王颖;魏福林 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人 | 张晋 |
| 主权项 | 一种磁记录薄膜的制备方法，其特征在于首先将其表面有一层氧化硅的基片经清洁处理，然后用真空共溅射方式在基片表面共溅射生长出一层FePt‑MgO薄膜，其中：薄膜中Fe原子和Pt原子的比例为31：69‑51：49，MgO与薄膜的体积比为5%‑40%；溅射Fe为直流溅射方式，溅射Pt和MgO为交流溅射方式，然后再将薄膜在真空条件下进行退火处理。 | ||
| 地址 | 730000 甘肃省兰州市天水南路222号 | ||