| 发明名称 | 一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法 | ||
| 摘要 | 一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法，是在水平管式炉中进行化学气相沉积方法，在1000-1100℃蒸发IIB-VIB族材料，在保温过程中引入硅烷，或同时引入III族或V族气态掺杂元素，由于硅与IIB-VIB族材料互溶性小，其通常生长在IIB-VIB族纳米结构的表面，形成IIB-VIB(核)-Si(壳)结构。而掺杂元素的引入使得Si(壳)与IIB-VIB(核)具有互补的掺杂类型，构成高质量纳米p-n结，即可一步法实现Si/IIB-VIB纳米p-n结的生长。另一方面，由于Si作为外包裹材料的径向生长限制作用，内核IIB-VIB纳米线的直径可以限制在10纳米以内，所以这种方法也可作为生长具有量子效应的小尺寸IIB-VIB纳米结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102176410B | 申请公布日期 | 2013.01.09 |
| 申请号 | CN201110048502.8 | 申请日期 | 2011.03.01 |
| 申请人 | 合肥工业大学 | 发明人 | 揭建胜;王莉;于永强;吴春艳;彭强;卢敏;任勇斌 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人 | 吴启运 |
| 主权项 | 一种一步法合成Si/IIB‑VIB族半导体纳米p‑n结的方法，是在水平管式炉中进行气相化学沉积，包括混合、蒸发和冷却，其特征在于：首先将纯度高于99.9％的IIB‑VIB族材料同纯度高于99.9％的III族掺杂元素或者纯度高于99.9％的V族掺杂元素按1‑50％的原子比研磨混合均匀后置于水平管式炉的中部，金膜厚度为1‑100nm的蒸金硅片置于水平管式炉的后部，在压力400‑1.6×104Pa和氩氢气流保护下于560‑640℃以1‑100SCCM的流量引入硅烷气体，继续升温至1000‑1100℃保温1.5‑2.5小时。 | ||
| 地址 | 230009 安徽省合肥市屯溪路193号 | ||