发明名称 高电源抑制比的基准稳压电路结构
摘要 本实用新型涉及一种高电源抑制比的基准稳压电路结构,其中包括供电三极管和依次级联连接的预基准电压源电路模块、次级基准电压源电路模块,预基准电压源电路模块的输入端通过供电三极管与供电电源连接,预基准电压源电路模块的输出端与次级基准电压源电路的输入端连接,次级基准电压源电路的输出端为该电路结构的输出端。采用该种结构的高电源抑制比的基准稳压电路结构,次级基准电压源的工作电压受电源电压变化的影响很小,与传统的一级能隙结构的基准源相比,其输出受电源电压变化的影响大大降低,电源的纹波抑制比大大提高,可比采用一级能隙结构的基准源提高25dB以上,而且结构简单实用,工作性能稳定可靠,适用范围较为广泛。
申请公布号 CN202649860U 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN201220342516.0 申请日期 2012.07.13
申请人 无锡华润矽科微电子有限公司 发明人 杨颖;陈继辉;程学农;张勤;卢晞
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人 王洁
主权项 一种高电源抑制比的基准稳压电路结构,其特征在于,所述的电路结构中包括供电三极管和依次级联连接的预基准电压源电路模块、次级基准电压源电路模块,所述的预基准电压源电路模块的输入端通过所述的供电三极管与供电电源相连接,所述的预基准电压源电路模块的输出端与所述的次级基准电压源电路的输入端相连接,且该次级基准电压源电路的输出端为该电路结构的输出端。
地址 214000 江苏省无锡市菱湖大道180号-22