| 发明名称 | 集成电路制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种在IC制造工艺中提供电介质材料(18)的方法，所述电介质材料(18)包括具有变化厚度的区(18’，18”)。所述方法包括：在电介质材料(18)的相应区(20’，20”)中形成多个图案，每个图案把电介质材料(18)相对于电介质材料移除步骤的敏感性增加预先确定的量并将电介质材料(18)暴露于电介质材料移除步骤。在实施例中，IC包括多个像素元件(12)和多个光干涉元件(24)，每个光干涉元件(24)包括第一反射镜元件(16)和第二反射镜元件(22)，电介质材料(18)的区将第一反射镜元件(16)和第二反射镜元件(22)分离开，每个光干涉元件(24)布置在所述像素元件(12)之一上，所述方法还包括：在包括多个像素元件的衬底(10)上的电介质层(14)中形成相应的第一反射镜元件(16)；在电介质层上沉积电介质材料；以及形成相应的第二反射镜元件，使得每个第二反射镜元件通过暴露的电介质材料与相应的第一反射镜元件分离开。因此，仅仅需要几个工艺步骤就可以获得具有包括不同厚度的区的电介质材料(18)层的IC。 | ||
| 申请公布号 | CN102007593B | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN200980113523.4 | 申请日期 | 2009.04.14 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 菲特·恩古耶恩霍安;拉杜·苏尔代业努;伯努特·巴泰娄 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 杨静 |
| 主权项 | 一种在集成电路制造工艺中提供电介质材料(18)的方法，所述集成电路包括多个像素元件(12)和充当滤光器的多个光干涉元件(24)，每个所述光干涉元件(24)布置在所述像素元件(12)之一上，所述光干涉元件包括电介质材料的相应区，所述相应区具有变化厚度，所述方法包括：在电介质材料(18)的相应区(20’，20”)中形成多个图案，每个所述图案包括多个凹部，每个图案包括预先确定的凹部密度，以便将电介质材料(18)相对于电介质材料移除步骤的敏感性增加预先确定的量；以及将电介质材料(18)暴露于电介质材料移除步骤。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||