| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成栅极结构，及位于所述栅极结构两侧的侧墙；形成位于所述侧墙两侧衬底内的源区和漏区；去除部分侧墙，剩余在所述栅极结构两侧的侧墙为保留侧墙，所述保留侧墙的厚度范围为5nm～30nm；在衬底表面、栅极结构表面和保留侧墙表面沉积金属层；对所述金属层进行退火，在所述衬底内和栅极结构内形成金属硅化物。本发明降低金属硅化物的损失，改善利用金属硅化物减小栅极和源/漏区间电阻的效果，提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102856179A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201110180767.3 | 申请日期 | 2011.06.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 徐伟中 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成栅极结构，及位于所述栅极结构两侧的侧墙；形成位于所述侧墙两侧衬底内的源区和漏区；去除部分侧墙，剩余在所述栅极结构两侧的侧墙为保留侧墙，所述保留侧墙的厚度范围为5nm～30nm；在衬底表面、栅极结构表面和保留侧墙表面沉积金属层；对所述金属层进行退火，在所述衬底内和栅极结构内形成金属硅化物。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||