一种硅通孔封装方法

摘要

本发明提供了一种硅通孔封装方法，提供具有衬底和半导体器件层的晶片，该方法包括，在所述半导体器件层上沉积金属间电介质，在所述晶片的芯片区对应的所述金属间电介质中制作与所述半导体器件层电连接的金属连线和金属衬垫，从所述衬底的晶片背面依次刻蚀所述衬底、半导体器件层和金属间电介质，以所述金属衬垫作为刻蚀停止层，形成与所述金属衬垫相通的硅通孔后，在所述硅通孔中填充金属并制作焊球。本发明一方面无需制作延伸金属层，通过减小切割道面积增大芯片区面积，使每个晶片上制作半导体器件数量增加；另一方面导电通孔在芯片区的密封环保护范围内，避免外界对其电信号传输的干扰，提高半导体器件可靠性。

主权项

一种硅通孔封装方法，提供具有衬底和半导体器件层的晶片，所述衬底具有晶片器件面和与其相对的晶片背面，所述半导体器件层位于所述衬底的晶片器件面上，该方法包括，所述半导体器件层上沉积金属间电介质，在所述晶片的芯片区对应的所述金属间电介质中制作与所述半导体器件层电连接的金属连线和金属衬垫，其特征在于，该方法还包括：从所述衬底的晶片背面依次刻蚀所述衬底、半导体器件层和金属间电介质，以所述金属衬垫作为刻蚀停止层，形成与所述金属衬垫相通的硅通孔；所述硅通孔中填充金属形成导电通孔，制作与所述导电通孔电连接的焊球。