| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种反馈电容小、且开关损耗低的半导体装置。本发明的半导体装置具备：半导体基板（20）；漂移层（21），形成于半导体基板（20）表面上；第1阱区域（41），在漂移层（21）表面形成了多个；源极区域（80），是形成于各第1阱区域（41）表面的区域，将由该区域和漂移层（21）夹住的各第1阱区域（41）表面规定为沟道区域；栅电极（50），从沟道区域上到漂移层（21）上隔着栅极绝缘膜（30）形成；以及第2阱区域（43），在栅电极（50）下的漂移层（21）内部埋设，并且与相互相邻的各第1阱区域（41）的各个连接地形成。 | ||
| 申请公布号 | CN102859696A | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN201180020961.3 | 申请日期 | 2011.04.07 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 三浦成久;中田修平;大塚健一;渡边昭裕;渡边宽 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李今子 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具备：第1导电类型的半导体基板（20）；第1导电类型的漂移层（21），形成于所述半导体基板（20）表面上；第2导电类型的第1阱区域（41），在所述漂移层（21）表面选择性地形成了多个；第1导电类型的源极区域（80），是在各所述第1阱区域（41）表面选择性地形成的区域，将由该区域和所述漂移层（21）夹住的各所述第1阱区域（41）表面规定为沟道区域；栅电极（50），从所述沟道区域上到所述漂移层（21）上，隔着绝缘膜（30）而形成；多个第2导电类型的第2阱区域（43），在所述栅电极（50）下的所述漂移层（21）内部埋设，并且与相互相邻的各所述第1阱区域（41）的各个连接地形成，俯视时覆盖多个所述第1阱区域（41）之间的区域的一部分；源电极，与所述源极区域（80）连接，并且仅与所述第1以及第2阱区域（41、43）中的所述第1阱区域（41）直接连接地形成；以及漏电极（77），形成于所述半导体基板背面。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||