发明名称 |
一种形成磁性存储器装置的方法 |
摘要 |
本发明揭示一形成一磁性存储器装置的方法。在一实施例中,复数个第一导线形成于一半导体基板上,复数个磁性材质线相对应于该复数个第一导线的每一个而形成于其上,以及复数个第二导线形成于该半导体工作部件上。该复数个第二导线与该复数个第一导线及该磁性材质线交叉,利用一镶嵌程序,包含于该复数个磁性材质线之上形成一非导线层、于该非导线层中蚀刻出沟槽、于该沟槽中形成该复数个第二导线。且此些第二导线于该磁性材质线被图案化时可作为一屏蔽。由此可以节省成本和增加产率。 |
申请公布号 |
CN1322578C |
申请公布日期 |
2007.06.20 |
申请号 |
CN02804077.5 |
申请日期 |
2002.01.24 |
申请人 |
因芬尼昂技术股份公司 |
发明人 |
宁香 |
分类号 |
H01L21/8246(2006.01);H01L27/22(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8246(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
程天正;王勇 |
主权项 |
1.一种形成磁性存储器集成电路的方法,该方法包括:在半导体基板上形成多个第一导线;相对应于该多个第一导线的每一个的上方形成多个磁性材质线;利用一镶嵌程序,在该半导体基板上形成多个第二导线,其中该多个第二导线与该多个第一导线及该磁性材质线交叉;所述镶嵌程序包括在该多个磁性材质线之上形成一非导电层、在该非导电层中蚀刻出沟槽以及在该沟槽之中形成该多个第二导线的步骤;将剩余在该多个第二导线的各导线之间的该非导电层的部分移除;以及将该多个第二导线作为一屏蔽,以移除该多个磁性材质线的部分。 |
地址 |
德国慕尼黑 |