发明名称 一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备
摘要 一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备,主要应用于高离化率的反应磁控溅射镀膜领域。本实用新型包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口,镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上,在镀膜室的外壁上设有真空抽气口,在镀膜室的下盖上设有工件转架,在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统,工件转架与偏压电源相连接;其特点是圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个,圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置,并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路;奇数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N,偶数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S,或者奇数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S,偶数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N。
申请公布号 CN202643826U 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN201220209547.9 申请日期 2012.05.09
申请人 爱发科中北真空(沈阳)有限公司 发明人 金广福
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/00(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 沈阳东大专利代理有限公司 21109 代理人 李运萍
主权项 一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备,包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口,所述镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上,在所述镀膜室的外壁上设有真空抽气口,在镀膜室的下盖上设有工件转架,在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统,所述工件转架与偏压电源相连接;其特征在于所述圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个,圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置,并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路;其中,奇数圆柱磁控靶磁铁的磁极是N‑S‑N,偶数圆柱磁控靶磁铁的磁极是S‑N‑S,或者奇数圆柱磁控靶磁铁的磁极是S‑N‑S,偶数圆柱磁控靶磁铁的磁极是N‑S‑N。
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