发明名称 |
一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备 |
摘要 |
一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备,主要应用于高离化率的反应磁控溅射镀膜领域。本实用新型包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口,镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上,在镀膜室的外壁上设有真空抽气口,在镀膜室的下盖上设有工件转架,在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统,工件转架与偏压电源相连接;其特点是圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个,圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置,并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路;奇数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N,偶数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S,或者奇数圆柱磁控靶的磁极是S-N-S,偶数圆柱磁控靶的磁极是N-S-N。 |
申请公布号 |
CN202643826U |
申请公布日期 |
2013.01.02 |
申请号 |
CN201220209547.9 |
申请日期 |
2012.05.09 |
申请人 |
爱发科中北真空(沈阳)有限公司 |
发明人 |
金广福 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳东大专利代理有限公司 21109 |
代理人 |
李运萍 |
主权项 |
一种闭合磁场非平衡磁控溅射镀膜设备,包括镀膜室、镀膜室门、工件转架、圆柱磁控靶、充气系统、靶挡板及真空抽气口,所述镀膜室门通过铰链固定在镀膜室上,在所述镀膜室的外壁上设有真空抽气口,在镀膜室的下盖上设有工件转架,在镀膜室的上盖上设有圆柱磁控靶和充气系统,所述工件转架与偏压电源相连接;其特征在于所述圆柱磁控靶的设置数量为大于或等于4的偶数个,圆柱磁控靶磁铁的磁极面向被镀工件设置,并使各圆柱磁控靶之间形成闭合的磁回路;其中,奇数圆柱磁控靶磁铁的磁极是N‑S‑N,偶数圆柱磁控靶磁铁的磁极是S‑N‑S,或者奇数圆柱磁控靶磁铁的磁极是S‑N‑S,偶数圆柱磁控靶磁铁的磁极是N‑S‑N。 |
地址 |
110168 辽宁省沈阳市浑南新区汇泉东路10号 |