发明名称 |
具有鳍片基础熔丝的集成电路及相关制造方法 |
摘要 |
本发明涉及具有鳍片基础熔丝的集成电路及相关制造方法,提供制造具有鳍片基础熔丝的集成电路的方法以及所得到的具有鳍片基础熔丝的集成电路。在所述方法中,从半导体材料层产生鳍片,所述鳍片具有第一端与第二端。所述方法提供在所述鳍片上从第一端至第二端形成传导路径。所述传导路径电连接至编程装置,所述编程装置可选择性导引编程电流通过所述传导路径,造成所述传导路径中结构改变,增加通过所述传导路径的阻抗。 |
申请公布号 |
CN102856250A |
申请公布日期 |
2013.01.02 |
申请号 |
CN201210209628.3 |
申请日期 |
2012.06.20 |
申请人 |
格罗方德半导体公司 |
发明人 |
R·曼;K·梅特拉;A·米塔尔 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;王锦阳 |
主权项 |
一种制造集成电路的方法,所述集成电路包含鳍片基础熔丝,所述方法包括:从半导体材料层产生鳍片,其中所述鳍片具有第一端与第二端;在所述鳍片上,从所述第一端至所述第二端形成传导路径;以及电连接所述传导路径至编程装置,所述编程装置可选择性导引编程电流通过所述传导路径,造成所述传导路径中结构改变,增加通过所述传导路径的阻抗。 |
地址 |
英属开曼群岛大开曼岛 |