发明名称 多指栅碳纳米管场效应晶体管
摘要 提供一种多指栅(multifinger)碳纳米管场效应晶体管(CNT FET),其中多个纳米顶栅FET沿着单一碳纳米管、对齐的纳米管的阵列、或纳米管的随机排列的长度被合并在一个指状几何体上。每个单独的FET被设置以便在单一碳纳米管上的栅极指状电极和漏极指状电极之间无几何重叠的结构,从而最小化栅极指状电极和漏极指状电极之间的米勒电容(Cgd)。低K电介质可以用来分隔多指栅CNT FET中的源极电极和栅极电极,以进一步最小化源极电极和栅极电极之间的米勒电容。
申请公布号 CN101669196B 申请公布日期 2013.01.02
申请号 CN200880003634.5 申请日期 2008.01.29
申请人 射频纳米公司 发明人 Z·于;P·J·伯尔克;S·麦基南;D·王
分类号 H01L21/336(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 赵蓉民
主权项 一种多指栅纳米管场效应晶体管,其包括:具有长度的单一纳米管,其形成于基底上;形成在所述单一纳米管上的组合的场效应晶体管,所述组合的场效应晶体管进一步包括:源极电极,其具有从其延伸的多个源极指状电极;漏极电极,其具有从其延伸的多个漏极指状电极;栅极电极,其具有从其延伸的多个栅极指状电极;其中所述源极指状电极、漏极指状电极和栅极指状电极中的每个被平行设置并且彼此相邻在所述单一纳米管上延伸,从而形成平行设置且电连接的多个单独的场效应晶体管装置。
地址 美国加利福尼亚州