用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件

摘要

本发明实施例公开了一种用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，自下而上依次包括：衬底、埋氧层、n型SOI层，所述SOI层中集成HV-NMOS、HV-PMOS、Field-PMOS、LIGBT、CMOS、NPN、PNP和HV-PNP器件；其中，所述SOI层内具有n+掺杂区，位于n型SOI层与埋氧层界面处。本发明在n型SOI层与埋氧层界面处，设置n型SOI层内的n+掺杂区，并且n+掺杂区的掺杂浓度大于n型SOI层的掺杂浓度，使得空穴反型层和电离N+区的正电荷作用增强了埋氧层电场，削弱了SOI层中的电场，使得器件发生击穿时，单位厚度的埋氧层可承担更高的纵向耐压，打破常规SOI高压器件纵向耐压限制。

主权项

一种用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，其特征在于，自下而上依次包括：衬底、埋氧层、n型SOI层，所述SOI层中集成HV‑NMOS、HV‑PMOS、Field‑PMOS、LIGBT、CMOS、NPN、低压PNP和HV‑PNP器件；其中，所述SOI层内具有n+掺杂区，位于n型SOI层与埋氧层界面处；所述n+掺杂区包括第一类n+掺杂区，位于所述HV‑NMOS、HV‑PMOS、Field‑PMOS、LIGBT、CMOS或HV‑PNP器件中至少一个器件对应的埋氧层区域，所述第一类n+掺杂区在沿衬底的方向上为长条型间隔掺杂，所述第一类n+掺杂区包括多个间隔排列的子掺杂区。