IC封装凸块的制造工艺

摘要

本发明公开了一种IC封装凸块的制造工艺，包括如下步骤：提供一硅片，硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在硅片上至少形成一双层凸块，双层凸块覆盖铝垫及硅片护层；在硅片上还至少形成一保护层，在保护层上至少形成一导电层；在硅片表面上至少形成一层厚度均一的光阻层，光阻层全部覆盖保护层和导电层；在硅片上对需要形成双层凸块的地方进行曝光和显影；在硅片表面沉积双层凸块；移除硅片表面的光阻层；采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。通过上述方式，本发明IC封装凸块的制造工艺流程简单，能够制造出金加钯的双层凸块，作用于结合晶片和面板，能够降低材料成本，产品寿命更长，可靠度更加，增强了市场竞争性。

主权项

一种IC封装凸块的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：a、提供一硅片，其中所述硅片上至少形成有一铝垫及一硅片护层，在所述硅片上至少形成一双层凸块，所述双层凸块覆盖铝垫及硅片护层；b、在硅片上还至少形成一保护层，在所述保护层上至少形成一导电层；c、在硅片表面上至少形成一层厚度均一的光阻层，所述光阻层完全覆盖保护层和导电层；d、在硅片上对需要形成双层凸块的地方进行曝光和显影；e、在硅片表面沉积双层凸块；f、移除硅片表面的光阻层；g、采用化学蚀刻将多余的金属区域去除。