| 发明名称 | 低损耗铁氧体及使用它的电子部件 | ||
| 摘要 | 一种低损耗铁氧体，和将由该低损耗铁氧体构成的多个层与形成于所述积层体内的线圈状电极进行一体烧结而成的电子部件，该低损耗铁氧体，作为主成分含有46.5～49.5mol％的Fe2O3；17～26mol％的ZnO；4～12mol％的CuO；0.2mol％以上、低于1.2mol％的CoO；和余量NiO，并且相对于所述主成分100质量％，含有以SnO2换算为0.03～1.4质量％的Sn，平均晶粒直径为0.7～2.5μm。 | ||
| 申请公布号 | CN101652336B | 申请公布日期 | 2013.01.02 |
| 申请号 | CN200880011628.4 | 申请日期 | 2008.04.16 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 田中智;橘武司 |
| 分类号 | H01F1/34(2006.01)I;H01F17/04(2006.01)I;C04B35/30(2006.01)I | 主分类号 | H01F1/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张宝荣 |
| 主权项 | 一种低损耗铁氧体，其特征在于，作为主成分，含有46.5～49.5mol％的Fe2O3；17～26mol％的ZnO；4～12mol％的CuO；0.2mol％以上且低于1.2mol％的CoO和余量NiO，并相对于所述主成分100质量％而含有以SnO2换算为0.03～1.4质量％的Sn，且平均晶粒直径为0.7～2.5μm。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||