发明名称 |
多晶矽层制造方法、以此制得之TFT、TFT制造方法及具此之有机发光二极体显示装置 |
摘要 |
一种制造多晶矽层的方法,包括:于一基板上形成一非晶矽层;使用诱导结晶化金属将该非晶矽层结晶化至多晶矽层中;形成一金属层图案或金属矽化物层图案,该金属层图案或金属矽化物层图案与除了该多晶矽层中的通道区域外的一区域对应的该多晶矽层的上区域或下区域接触;及退火该基板,以将存该多晶矽层通道区域中存在的该诱导结晶化金属除气至具有该金属层图案或金属矽化物层图案的多晶矽层中的区域。因此,可有效移除该多晶矽层的通道区域中存在的诱导结晶化金属,从而可制造出具有改良泄漏电流特性的薄膜电晶体及包括相同改良泄漏电流特性的有机发光二极体显示装置。 |
申请公布号 |
TWI381451 |
申请公布日期 |
2013.01.01 |
申请号 |
TW097117909 |
申请日期 |
2008.05.15 |
申请人 |
三星显示器有限公司 南韩 |
发明人 |
朴炳建;徐晋旭;梁泰勋;李吉远;李基龙 |
分类号 |
H01L21/324;H01L29/786;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/324 |
代理机构 |
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代理人 |
李国光 新北市中和区中正路880号4楼之3;张仲谦 新北市中和区中正路880号4楼之3 |
主权项 |
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地址 |
南韩 |