发明名称 Thin film transistor of liquid crystal display and method for manufacturing the same
摘要 <p>본 발명은 부분별 정전 용량의 차별성을 손쉽게 구현할 수 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 투명 절연 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극을 포함하여 투명 절연 기판의 전면을 덮는 게이트 절연막, 게이트 절연막의 상부에 형성된 반도체층, 반도체층의 양측에 서로 이격되도록 형성된 소스 전극 및 드레인 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 투명 절연 기판의 전면을 덮는 보호막, 보호막을 관통하는 콘택홀을 통하여 드레인 전극에 접촉되는 화소 전극을 포함하며, 게이트 절연막은 유기 절연 물질로 형성되고, 게이트 절연막의 두께가 게이트 전극과 대응되는 영역에서 부분적으로 얇게 형성된 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법을 제공한다.</p>
申请公布号 KR101216169(B1) 申请公布日期 2012.12.28
申请号 KR20050058874 申请日期 2005.06.30
申请人 发明人
分类号 G02F1/136 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人
主权项
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