| 摘要 |
<p>본 발명은 발광다이오드(LED) 상부의 절연층 또는 절연층 위의 임프린트용 고분자 화합물에 회절광학소자(DOE; diffractive optical elements) 패턴을 형성시킴으로서 LED chip의 큰 방사특성으로 인해 손실되던 광의 방사각도를 임의로 조절하여 발광 효율을 높이기 위한 고광도 발광다이오드의 제조방법 및 이 방법을 이용하여 제조되는 고광도 발광다이오드를 개시한다. 이와 같은 본 발명은 기본적인 발광다이오드의 제작 공정에 추가 적용이 가능하고, 공정이 매우 간단하며, 낮은 제조비용으로 제작이 가능한 효과와 함께 원하는 목표 발광다이오드의 발광 형태와 여기에 포함되는 파장 대역폭에 따른 특화된 회절광학소자(DOE) 패턴을 적용하여 발광다이오드의 제품별 용도에 맞는 고광도 발광다이오드의 제작이 가능한 효과가 있다.</p> |
