| 摘要 |
<p>본 발명은, 접촉층과 전극의 계면에 쇼트키 장벽이 형성되는 것을 억제할 수 있는 질화물계 반도체 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. GaN 기판(3)과, GaN 기판(3)의 주요면(S1)에 마련되고 있고, 발광층(11)을 포함하는 육방정계의 질화갈륨계 반도체 영역(5)과, 질화갈륨계 반도체 영역(5) 상에 마련되어 있고, 금속으로 이루어진 p 전극(21)을 구비하는 질화물계 반도체 발광 소자의 LD(1)를 제공한다. 질화갈륨계 반도체 영역(5)은, 왜곡을 내포하는 접촉층(17)을 포함하고, 접촉층(17)은 p 전극과 접하고 있으며, 주요면(S1)은, GaN 기판(3)의 c축 방향과 직교하는 면으로부터 미리 정해진 경사 각도(θ)로 경사진 기준 평면(S5)을 따라 연장되어 있고, 경사 각도(θ)는 40°보다 크고 90°보다 작은 범위 또는 150°이상 180°미만의 범위 중 어느 하나에 포함되어 있다. 질화갈륨계 반도체 영역(5)은 GaN 기판(3)과 격자 정합되어 있다.</p> |
