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Zur Reduzierung der Neigung zu Blasen- und Rissbildung sowie Abplatzen in den obersten Lagen eines Viellagensystems in der Gegenwart von reaktivem Wasserstoff wird Verfahren zur Herstellung eines reflektiven optischen Elements (50) für die EUV-Lithographie, das bei einer Arbeitswellenlänge im Bereich von 5 nm bis 20 nm eine maximale Reflektivität aufweist, vorgeschlagen mit den Schritten:–Aufbringen auf ein Substrat (52) eines Viellagensystems (51) aus übereinander angeordneten Stapeln (53), wobei jeder Stapel eine Lage (54) einer Dicke dMLs aus einem Material aufweist, das bei der Arbeitswellenlänge einen höheren Realteil des Brechungsindex aufweist, und eine Lage (55) einer Dicke dMLa aus einem Material, das bei der Arbeitswellenlänge einen niedrigeren Realteil des Brechungsindex aufweist, wobei das Dickenverhältnis dMLa/(dMLa + dMLs) =ΓML ist,–Aufbringen mindestens eines weiteren Stapels (56) auf das Viellagensystem, der eine Lage (54) einer Dicke ds aus einem Material aufweist, das bei der Arbeitswellenlänge einen höheren Realteil des Brechungsindex aufweist, und eine Lage (55) einer Dicke da aus einem Material, das bei der Arbeitswellenlänge einen niedrigeren Realteil des Brechungsindex aufweist, wobei das Dickenverhältnis da/(da + ds) =Γist und wobeiΓ≠ΓML ist. |
