用于制造III族氮化物半导体发光器件的方法

摘要

本发明提供了呈现出改善的光提取性能的III族氮化物半导体发光器件。在制造方法中，在30kPa压力和1.5×1020/cm3的Mg浓度下通过MOCVD法在发光层上形成p-AlGaN的p覆盖层。在具有III族元素极性的晶体中形成具有氮极性的多个区域，从而p覆盖层在其表面上具有六角形柱状凹凸形状。随后，通过MOCVD方法在p覆盖层上沿着该凹凸形状以膜的形式形成GaN的p接触层。

主权项

一种用于制造具有p覆盖层和p接触层的III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：通过Mg掺杂的晶体生长使晶体的至少一部分的极性反转从而形成所述p覆盖层使得在所述p覆盖层上具有凹凸形状；并且在所述p覆盖层上沿着所述凹凸形状形成所述p接触层。