形成PN、PIN、N-型和P-型半导体薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种形成PN、PIN、N-型和P-型半导体薄膜的方法，包括以下步骤，提供一熔融的P-型、本质与N-型半导体材料。然后，对此熔融的P-型、本质与N-型半导体材料执行一下拉制程或一铸膜制程。之后，选择性地执行一双边滚动制程以形成一P-型、本质与N-型半导体带状。接着，接合此P-型、本质与N-型半导体带状以形成一PIN半导体带状。最后，对此PIN半导体带状执行一滚压制程或下压制程以形成一PIN半导体薄膜。

主权项

一种形成PN半导体薄膜的方法，其特征在于包括：提供一熔融P‑型半导体材料与一熔融N‑型半导体材料；形成熔融P‑型半导体材料与熔融N‑型半导体材料的一P‑型半导体带与一N‑型半导体带；接合P‑型半导体带与N‑型半导体带；以及对P‑型半导体带与N‑型半导体带执行一滚压制程或下压制程以形成PN半导体薄膜。