| 发明名称 | 无需Cs激活的异质结型GaN负电子亲和势光电阴极 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种无需Cs激活的异质结型GaN负电子亲和势光电阴极，包括：衬底，生长在所述衬底上的GaN/AlN超晶格缓冲层或AlN缓冲层，生长在GaN/AlN超晶格缓冲层或AlN缓冲层上的p-Alx1Ga1-x1N光吸收层，生长在p-Alx1Ga1-x1N光吸收层上的n+-Alx2Ga1-x2N帽层，制作在n+-Alx2Ga1-x2N帽层的表面边缘及多层材料的侧面上的电极，其中0<x1<1,0<x2<1。本发明能够在不用Cs激活的情况下就能实现阴极的NEA特性，降低了制作高质量NEA阴极的难度，无需维持超高真空环境，延长了阴极的使用寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN102254779B | 申请公布日期 | 2012.12.26 |
| 申请号 | CN201110119313.5 | 申请日期 | 2011.05.10 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 唐光华;戴丽英;钟伟俊;姜文海 |
| 分类号 | H01J43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01J43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
| 主权项 | 一种无需Cs激活的异质结型GaN负电子亲和势光电阴极，其特征在于，包括：衬底（11），生长在所述衬底（11）上的GaN/AlN超晶格缓冲层（12）或AlN缓冲层（12′），生长在GaN/AlN超晶格缓冲层（12）或AlN缓冲层（12′）上的p‑Alx1Ga1‑x1N光吸收层（13），生长在p‑Alx1Ga1‑x1N光吸收层（13）上的n+‑Alx2Ga1‑x2N帽层（14），制作在n+‑Alx2Ga1‑x2N帽层（14）的表面边缘及衬底（11）、GaN/AlN超晶格缓冲层（12）或AlN缓冲层（12′）、 p‑Alx1Ga1‑x1N光吸收层（13）和n+‑Alx2Ga1‑x2N帽层（14）的侧面上的电极（15），其中0<x1<1,0<x2<1；所述n+‑Alx2Ga1‑x2N帽层（14）为n型掺杂，掺杂的元素为Si，掺杂浓度为1~5×1019cm‑3，厚度为1~10nm，其中0<x2<0.6。 | ||
| 地址 | 210000 江苏省南京市白下区瑞金路街道中山东路524号 | ||