发明名称 |
一种场效应管及场效应管制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种场效应管制造方法,用于解决场效应管制造过程中某些区域氧化层偏薄易被刻蚀穿的问题,满足场效应管制造过程中的过刻蚀需求。所述方法包括:在衬底上制作势阱,及在衬底区域及势阱区域表面生成N+区域、P+区域及栅极区域;通过化学气相淀积的过程在所述衬底区域表面及所述势阱区域表面生成第一氧化层;将所述栅极区域表面的第一氧化层刻蚀掉,除栅极区域表面外其它区域表面的第一氧化层均保留;在刻蚀后的所述衬底区域表面及所述势阱区域表面生成第二氧化层;在所述第二氧化层上生成金属层;对所述金属层进行刻蚀。本发明还公开了用于实现所述方法的系统。 |
申请公布号 |
CN102842505A |
申请公布日期 |
2012.12.26 |
申请号 |
CN201110166279.7 |
申请日期 |
2011.06.20 |
申请人 |
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
发明人 |
马万里 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种场效应管制造方法,其特征在于,包括以下步骤:在衬底上制作势阱,及在衬底区域及势阱区域表面生成N+区域、P+区域及栅极区域;通过化学气相淀积的过程在所述衬底区域表面及所述势阱区域表面生成第一氧化层;将所述栅极区域表面的第一氧化层刻蚀掉,除栅极区域表面外其它区域表面的第一氧化层均保留;在刻蚀后的所述衬底区域表面及所述势阱区域表面生成第二氧化层;在所述第二氧化层上生成金属层;对所述金属层进行刻蚀。 |
地址 |
100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 |