全集成双频带可配置射频功率放大器

摘要

本发明公开了属于无线通信技术领域的一种全集成双频带可配置射频功率放大器。它采用共源共栅放大器结构，以LC谐振网络做负载，由6个MOS晶体管M1-M6、4个电容C1-C4、2个电感L1-L2和2个电阻R1-R2组成该谐振网络；在高低两个频段提供不同的电感量来与电容谐振，因此该放大器在高低两个频段均可以提供较高的增益。同时，该放大器没有在信号通路上引入损耗很大的开关，因此避免了因开关损耗降低射频功率放大器的效率。这种新型的双频带可配置射频功率放大器可以完全集成在同一块芯片上，实现了很高的集成度。它在频率相差很大的两个频带内均可以提供很高的增益并具有很高的效率。

主权项

一种全集成双频带可配置射频功率放大器，其特征在于，第一输入差分射频信号vip接第一电容(C1)的一端，第二输入差分射频信号vin接第二电容(C2)的一端，第一电容(C1)的另一端接第一电阻(R1)的一端和第一MOS晶体管(M1)的栅极，第二电容(C2)的另一端接第二电阻(R2)的一端和第二MOS晶体管(M2)的栅极，第一电阻(R1)的另一端与第二电阻(R2)的另一端连接在一起并接到偏置电压输入端VB上；第一MOS晶体管(M1)的源极和第二MOS晶体管(M2)的源极接在一起并接地，第一MOS晶体管(M1)的漏极接第三MOS晶体管(M3)的源极，第二MOS晶体管(M2)的漏极接第四MOS晶体管(M4)的源极，第三MOS晶体管(M3)的栅极与第四MOS晶体管(M4)的栅极以及第一电感(L1)的中心抽头接在一起并连接到电源VDD上，第三MOS晶体管(M3)的漏极与第一电感(L1)的一端、第三电容(C3)的一端接在一起并接到差分输出负端von，第四MOS晶体管(M4)的漏极与第一电感(L1)的另一端、第四电容(C4)的一端接在一起并接到差分输出正端vop，第三电容(C3)的另一端与第二电感(L2)的一端以及第五MOS晶体管(M5)的漏极相连，第四电容(C4)的另一端与第二电感(L2)的另一端以及第六MOS晶体管(M6)的漏极相连，第五MOS晶体管(M5)的栅极与第六MOS晶体管(M6)的栅极相连并接到频段选择控制信号VS，第五MOS晶体管(M5)的源极与第六MOS晶体管(M6)的源极均接地，构成射频功率放大器。