发明名称 ION IMPLANTATION METHOD AND ION IMPLANTATION APPARATUS
摘要 <p>(과제) 기판의 면내에 형성되는 불균일한 도우즈량 분포의 형상에 상관없이, 원하지 않는 도우즈량 분포인 천이 영역을 작게 하고, 이온 주입 처리에 요하는 시간을 단축할 수 있는 이온 주입 방법을 제공한다. (해결수단) 이 이온 주입 방법은, 이온 빔(3)과 기판(11)의 상대적인 위치 관계를 변경시킴으로써, 기판(11)에의 이온 주입을 실시하는 이온 주입 방법이다. 그리고, 기판(11) 상에 균일한 도우즈량 분포를 형성하는 제1 이온 주입 처리와 기판(11) 상에 불균일한 도우즈량 분포를 형성하는 제2 이온 주입 처리를 미리 결정된 순서에 따라서 행하고, 제2 이온 주입 처리시에 기판(11) 상에 조사되는 이온 빔(3)의 단면 치수가, 제1 이온 주입 처리시에 기판(11) 상에 조사되는 이온 빔(3)의 단면 치수보다 작다.</p>
申请公布号 KR101215783(B1) 申请公布日期 2012.12.26
申请号 KR20110021528 申请日期 2011.03.10
申请人 发明人
分类号 H01J37/317;H01L21/265 主分类号 H01J37/317
代理机构 代理人
主权项
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