| 摘要 |
<p>절연 기판(10) 상에 비도전 재료로 이루어지는 차광막(70)이 형성된다. 차광막(70)을 덮어 백 게이트 절연막(11)이 형성된다. 이 백 게이트 절연막(11) 상에 능동층(33)이 형성된다. 그 능동층(33)을 덮어 게이트 절연막(12)이 형성되고, 그 게이트 절연막(12) 상에 게이트 전극(31)이 형성된다. 차광막(70)은 백 게이트 절연막(11)을 사이에 두고 능동층(33)을 덮어 배치되고, 절연 기판(10)을 통해 능동층(33)으로 입사하고자 하는 외광을 차광하는 작용을 한다.</p> |
