电路图案的设计方法和半导体装置的快速热退火方法

摘要

本发明提供一种电路图案的设计方法和半导体装置的快速热退火方法，所述设计方法包括以下步骤：建立器件电性参数、退火温度和STI图案分布密度之间的三元对应关系，并且，建立器件电性参数和栅极图案长度的二元对应关系；获得特定区域与目标区域的STI图案分布密度的差值；根据所述三元对应关系找到所述STI图案分布密度的差值对应的电性参数差值；根据所述二元对应关系找到所述电性参数的差值对应的栅极图案长度的差值；由所述栅极图案长度的差值调整特定区域的栅极图案长度。相对于传统的设计方法，本发明提供的电路图案设计方法不需要添加虚拟结构的图案，能够避免在半导体装置中增加虚拟结构后，对正常的电路性能带来的不利影响。

主权项

一种电路图案的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：建立器件电性参数、退火温度和STI图案分布密度之间的三元对应关系，并且，建立器件电性参数和栅极图案长度的二元对应关系；获得特定区域与目标区域的STI图案分布密度的差值；根据所述三元对应关系找到所述STI图案分布密度的差值对应的电性参数差值；根据所述二元对应关系找到所述电性参数的差值对应的栅极图案长度的差值；由所述栅极图案长度的差值调整特定区域的栅极图案长度；其中，所述获得特定区域与目标区域的STI图案分布密度的差值，包括以下步骤：获得目标区域的STI图案分布密度D0；获得特定区域的STI图案分布密度Dx；计算所述Dx与D0的差值；所述获得目标区域的STI图案分布密度D0包括以下步骤：根据半导体装置的设计要求确定目标电性参数；由所述器件电性参数、退火温度和STI图案分布密度的三元对应关系，找到目标电性参数所对应的STI图案分布密度，也即所述目标区域的STI图案分布密度D0；所述获得特定区域的STI图案分布密度Dx包括以下步骤：将电路图案划分为多个重复的区域；分别检测各个区域的有源区图案分布密度Ax和栅极图案的分布密度Px；根据公式Dx=(1‑Ax）×(1‑Px)计算各个区域的STI图案分布密度；判断各个区域的STI图案分布密度是否等于目标区域STI图案分布密度；如果否，则将该区域作为所述特定区域。